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一种具有保护层LED芯片的制作方法.pdfVIP

一种具有保护层LED芯片的制作方法.pdf

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    本发明提供了一种具有保护层LED芯片的制作方法，在每一层量子阱层生长完成后增加了空烤处理，目的是在高In材料生长结束后，通过空烤的方式来适当减少In过饱和状态下带来的In析出、界面粗糙以及高缺陷密度等问题，生长的GaN保护层可以对量子阱层起到保护作用，减少In析出，变温生长方式还可以提高AlGaN保护层的晶体质量，从而获得较高的电子有效势垒高度，减少了电子泄露。进一步的，相比较现有技术中单层的AlGaN保护层，采用GaN保护层以及AlGaN保护层的复合保护层，可以减少与量子阱层中InGaN材料的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993099 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 202110178379.5 H01L 33/32 (2010.01)

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