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实施方式提供一种能够抑制积层体的崩塌的半导体装置。实施方式的半导体装置包含基体部(1)、积层体(2)、第1基座部(31)、板状部(32)、第1柱状部(CL)、及第2柱状部(CLHR)。基体部(1)包含第1掺杂半导体膜(13)及第1半导体部(14)。第1掺杂半导体膜具有第1部分(13a)及第2部分(13b)。第1半导体部具有位于第1部分之上的第1区域(14a)及位于第2部分之上的第2区域(14b)。第2区域与第1区域分开。第1基座部至少设置在第2区域。板状部分别与第1区域及第1基座部相接。第1柱状
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110277401 A
(43)申请公布日
2019.09.24
(21)申请号 20181
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