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本发明提供了一种micro‑LED芯片的巨量转移方法，包括：提供若干载体基板、若干单色LED、若干转移标记、掩膜、承接基板；将所述掩膜、所述单色LED载体基板、所述承接基板自上而下排列；将所述单色LED载体基板依次置于所述掩膜与所述承接基板之间并进行对位；激光器发射出的激光光斑在所述掩膜上完成面扫，以使所述单色LED、所述转移标记转移至所述承接基板上，本发明通过设计不同的转移标记与对位方式，简化了巨量转移过程与后续芯片封装过程，同时也实现了芯片转移的高利用率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115692460 A
(43)申请公布日 2023.02.03
(21)申请号 202211391064.X
(22)申请日 2022.11.08
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 33
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