存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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存储器及其制备方法.pdf

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本发明提供一种存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，该存储器包括基底，基底上设置有隔离层，隔离层内间隔排布有多条位线，多条位线沿第一方向排布，且每条位线呈S形。该存储器的制备方法包括如下步骤：提供基底；在基底上形成多条位线沟槽；在每条位线沟槽内形成第一隔离层；在第一隔离层上形成位线；在位线上形成第二隔离层；去除相邻的隔离墙之间的基底，隔离墙包括第一隔离层、位线以及第二隔离层；在相邻的隔离墙之间的间隙内形成第三隔离层，第三隔离层、第二隔离层和第一隔离层共同形成隔离层。本发明实施例的存储器以及采用

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113053896 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202110240857.0 (56)对比文件