一种用于LED芯片的巨量转移方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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一种用于LED芯片的巨量转移方法.pdf

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本发明公开了一种用于LED芯片的巨量转移方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上设置LED芯片，使所述LED芯片的电极背离所述第一衬底设置；在所述第一衬底背向所述LED芯片的一面刻蚀形成LED微结构；提供一驱动基板，将蚀刻完成的所述LED芯片与所述驱动基板对位，所述LED芯片的电极朝向所述驱动基板；将所述LED微结构断裂；所述LED芯片转移至所述驱动基板。解决了现有技术中LED微结构巨量转移的良率低和效率低的问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113054074 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202110226801.X H01L 25/16 (2006.01)