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揭示一种影像感测器装置及其形成方法。装置包括设置在半导体层的第一表面上方的多个像素。装置包括设置在第一表面上方的装置层。装置包括设置在装置层上方的多个金属化层。金属化层中的一者包括至少一个导电结构，金属化层中的此者比金属化层的其他者更接近第一表面。装置包括设置在半导体层的第二表面上方的氧化物层，第二表面与第一表面相对，氧化物层亦内衬于凹部，凹部延伸穿过半导体层。装置包括设置在凹部的多个内侧壁与氧化物层之间的间隔层。装置包括衬垫结构，衬垫结构延伸穿过氧化物层及装置层以与至少一个导电结构实体接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053934 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110026097.3
(22)申请日 2021.01.08
(30)优先权数据
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