一种用于碳化硅MOSFET开关瞬态过程频域分析的脉冲分解方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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一种用于碳化硅MOSFET开关瞬态过程频域分析的脉冲分解方法.pdf

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本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET开关瞬态过程频域分析的脉冲分解方法，首先将碳化硅MOSFET开关瞬态过程的电磁脉冲分解为标准脉冲、调制脉冲、死区‑延迟脉冲、上升‑下降脉冲和振荡脉冲五个基本脉冲的组合，然后利用傅立叶分解的线性性质，得到碳化硅MOSFET开关瞬态过程电磁脉冲的频域解析表达式，从而为研究碳化硅MOSFET开关瞬态过程的频域特性提供了一种分析方法。本发明所述脉冲分解方法，解决了碳化硅MOSFET开关瞬态过程机理和数学形式复杂、难以进行频域分析的问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113054956 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110053099.1 (22)申请日 2021.01.15 (71)申请人清华大学地址 10

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