一种控制硒化镓单晶体解理面定向生长的方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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一种控制硒化镓单晶体解理面定向生长的方法.pdf

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一种控制硒化镓单晶体解理面定向生长的方法，它涉及硒化镓单晶体生长的方法。它是要解决现有的硒化镓晶体的解理面的方向无法控制的技术问题。本发明的方法：先用垂直双温区管式电阻炉合成GaSe多晶，然后接着通过控制径向温度梯度、纵向温度梯度、石英管的转速和坩埚下降速率来调控GaSe单晶生长方向，进行晶体生长。本发明的方法可以根据需要调整解离层与坩埚纵向轴线的角度，利于器件制备时对晶体的切割，晶体利用率高，可用于晶体生长领域。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113046831 B (45)授权公告日 2022.04.19 (21)申请号 202110230724.5 C30B 11/00 (2006.01) (22)申请日