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2023-06-12 发布于四川
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一种高质量SiC单晶片及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单晶片的制备方法。本发明提供的SiC单晶片的制备方法包括优选高质量的籽晶、生长参数稳定精确可控，通过原位退火、一次退火，尽可能地消除晶体内部残余应力；在加工过程中，尽量保持硅、碳面相近的表面状况，并在加工初期对研磨片进行退火，以降低晶片内部应力。因此，本发明提供的SiC单晶片的制备

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113046825 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 201911380293.X 杨建　 (22)申请日 2019.12.27

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