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本发明涉及芯片技术领域,公开了一种芯片上片方法。本发明的芯片上片方法,包括以下步骤:S100、对晶圆进行切割得到多个芯片,S200、在得到的多个芯片的金属层面粘贴保护膜,S300、撕除多个芯片的硅片层面的胶膜;S400、抓取移动机构抓取芯片的硅片层面,并使芯片从保护膜上分离,S500、抓取移动机构抓取与保护膜分离的芯片的金属层面,S600、使芯片的硅片层面贴附到基板上,完成芯片上片。本发明的芯片上片方法,抓取机构抓取芯片的硅片层面,使芯片与保护膜分离,此时邻边芯片的硅片层面朝上,邻边芯片的弯曲强
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035720 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110225370.5
(22)申请日 2021.03.01
(71)申请人 紫光宏茂微电子(上海)有限公司
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