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一种PVT法生长碳化硅的剩余原料的回收利用方法，它属于碳化硅原料回收领域。本发明要解决的技术问题为PVT法生长碳化硅的剩余原料的低效回收问题。本发明碳化硅晶体生长结束后，取碳化硅晶体生长后的原料，破碎为0.1‑1cm的颗粒原料置于球磨机中，球磨后加入高纯水中搅拌，静置后倒掉上层悬浮物及水，保留下层沉淀原料烘干后，置于马弗炉中600～850℃灼烧得到初级回收SiC粉体用氢氟酸洗涤，然后经超纯水洗涤、过滤、干燥，得到高纯SiC粉体掺入或不掺入新的碳化硅原料，气氛保护下加热至1900‑2200℃，保温
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113044843 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110296105.6
(22)申请日 2021.03.19
(71)申请人 哈尔
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