半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室.pdfVIP

半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室.pdf

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本发明提供一种半导体工艺腔室的清洗控制方法,该半导体工艺腔室包括用于加工晶片的工艺腔室,该方法包括:记录工艺腔室加工待加工工件的加工计数,当加工计数大于或等于当前工单对应的预设数量阈值时,控制工艺腔室进行工单内清洗,并重置加工计数,其中,工单内清洗为对移出待加工工件的工艺腔室进行具有第一工艺配方的第一干式清洗。在本发明中,控制装置能够在工艺腔室的加工计数达到预设数量阈值时,控制工艺腔室进行工单内清洗,每加工完成几个晶片,即启动一次工单内清洗,从而使同一工单中的所有晶片加工时所处的腔室环境尽可能保

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113035749 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202110230759.9 (22)申请日 2021.03.02 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司

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