具有增大的有效通道宽度的晶体管.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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具有增大的有效通道宽度的晶体管.pdf

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本申请案涉及具有增大的有效通道宽度的晶体管。图像传感器包含形成在衬底材料中的光电二极管及耦合到所述光电二极管的晶体管。所述晶体管具有形成在所述衬底材料中的沟槽结构，放置在所述衬底材料上的隔离层及放置在所述隔离层上且延伸到所述沟槽结构中的栅极。所述沟槽结构在通道宽度平面上具有多边形横截面，所述多边形横截面界定所述衬底材料的至少四个侧壁部分，此促成在所述通道宽度平面中测量的有效通道宽度，其比所述晶体管的平面通道宽度更宽。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053931 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202011560339.9 (22)申请日 2020.12.25 (30)优先权数据 16/729,16