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揭露一种纳米双晶层及其制备方法。纳米双晶层的制备方法包含：利用包含铜的盐化物、酸以及水溶性或醇溶性有机添加剂的电解液，在电流密度为20～100mA/cm2，槽电压为0.2～1.0V，且阴极与阳极距离为10～300mm的条件下，以电解沉积技术在阴极的表面上沉积纳米双晶层。该制备方法得到的纳米双晶层包含复数纳米双晶铜晶粒，复数纳米双晶铜晶粒中至少部分具有上宽下窄的支柱帽形状，且部分相邻的复数纳米双晶铜晶粒之间具有不规则晶相区域。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113046796 A
(43)申请公布日
2021.06.29
(21)申请号 20191
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