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集成电路结构.pdfVIP

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    一种集成电路(IC)结构包括具有第一p型有源区域、第一n型有源区域、第二n型有源区域和第二p型有源区域的存储单元。第一p型有源区域和第二p型有源区域中的每个包括具有宽度W1的第一组垂直堆叠的沟道层，并且第一n型有源区域和第二n型有源区域中的每个包括具有宽度W2的第二组垂直堆叠的沟道层，其中W2小于W1。IC结构还包括具有第三n型鳍和第三p型鳍的标准逻辑单元。第三n型鳍包括具有宽度W3的第三组垂直堆叠的沟道层，并且第三p型鳍包括具有宽度W4的第四组垂直堆叠的沟道层，其中W3大于或等于W4。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053891 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202011564442.0 (22)申请日 2020.12.25 (30)优先权数据 62/954,20

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