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- 2023-06-12 发布于四川
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本发明属于半导体器件技术领域，具体地涉及一种倒装BLU发光二极管芯片及其制备方法，所述芯片包括衬底、外延层、第一段布拉格反射层、第二段布拉格反射层，所述外延层置于所述衬底之上，所述第一段布拉格反射层置于所述衬底背离所述外延层的一面，用于反射与所述衬底夹角介于45°～90°的光线，所述第二段布拉反射层置于所述第一段布拉反射层背离所述衬底的一面，用于反射与所述衬底夹角介于0～45°的光线，所述第二段布拉格反射层中心设有贯穿至所述第一段布拉格反射层的第二段布拉格反射层通孔。本发明能够增强发光二极管芯片
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115692563 A
(43)申请公布日 2023.02.03
(21)申请号 202211387053.4 H01L 33/62 (2010.01)
(22)申请日 2022.11.
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