半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成包括交替层叠的牺牲层及支撑层的叠层结构；在所述叠层结构内形成电容孔；在所述电容孔的侧壁及底部形成第一电极层；在所述第一电极层的内表面形成第一介质层；在所述叠层结构上形成开口，所述开口暴露出所述牺牲层，并利用所述开口去除所述牺牲层；在所述第一介质层的内表面及所述第一电极层的外表面形成第二介质层；在所述第二介质层的内表面和外表面形成第二电极层。通过额外引入第一介质层，以补偿第一电极层内外两侧的第二介质层的厚度差异引起

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113053898 B (45)授权公告日 2022.05.24 (21)申请号 202110267178.2 (56)对比文件