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本发明提供一种具有p‑GaN盖帽层的HEMT器件及制备方法，通过在H2氛围下进行退火处理，可使得显露的p‑GaN层与H2反应形成p‑GaN钝化层，可避免对p‑GaN层的刻蚀；将p‑GaN层中的Mg钝化成Mg‑H键，可降低空穴浓度，将p‑GaN层转化成高阻的p‑GaN钝化层，以截断HEMT器件中p‑GaN层的漏电通道，提高栅控制能力；p‑GaN钝化层可释放其下方位于AlGaN/GaN异质结界面、原先被耗尽的沟道二维电子气；保留下来的较厚的高阻的p‑GaN钝化层有利于降低HEMT器件的电流崩塌。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113480 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110313170.5 H01L 29/06 (2006.01)
(22)申请日 2
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