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本申请案涉及一种用于钝化全正面深沟槽隔离结构的方法。所述方法包含提供从半导体衬底的第一面朝向第二面延伸的沟槽。所述沟槽具有在所述第一面上的开口以及底部及侧面。在所述沟槽的所述底部和所述侧面上沉积掺杂B氧化物的保形层，且所述掺杂B氧化物的保形层的厚度小于所述沟槽宽度的一半从而在所述沟槽中留下纵深凹陷。在所述沟槽中的所述掺杂B氧化物的保形层上沉积第二材料，从而将所述沟槽中的所述凹陷填充到所述第一面。对掺杂B氧化物的所述保形层进行退火，从而将硼从所述掺杂B氧化物的保形层推动到所述半导体衬底，从而形成掺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097238 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202011491865.4
(22)申请日 2020.12.17
(30)优先权数据
16/725,68
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