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- 2023-06-13 发布于四川
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本申请公开了一种导电结构的制作方法、导电结构及机台设备,该导电结构的制作方法包括:在晶圆上待填充的导孔和/或沟槽内表面沉积籽晶层;对所述晶圆的上表面和下表面进行加热,使所述籽晶层回流,以去除所述待填充的导孔和/或沟槽豁口处及侧壁的悬垂凸起结构。该导电结构采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热,使晶圆的升温更加均匀和快速,减少豁口处及侧壁的悬垂凸起结构,拓展了籽晶层回流的工艺窗口,减少晶圆因温升变化产生的应力,采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热还可以显著减少籽晶层回流的工艺耗时,提高生产效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113097129 B
(45)授权公告日 2022.05.06
(21)申请号 202110230882.0 H01L 21/67 (2006.01)
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