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本发明提供一种功率半导体器件，包括元胞区、过渡区和终端区，所述过渡区处于器件元胞区和终端区之间，所述器件元胞区、过渡区和终端区共同设有漏极金属、位于漏极金属上方的第一导电类型衬底、位于第一导电类型衬底上方的第一导电类型缓冲层及位于第一导电类型缓冲层上方的第一导电类型外延层；从第一导电类型外延层到第一导电类型缓冲层方向为纵向，从元胞区到终端区为横向；本发明在超级结作为开关器件优化击穿电压和导通电阻的基础上，通过加入与第一导电类型纵向条形区域相连的第一导电类型横向条形区域，提高了其耐压能力，减小了终
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078206 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202110342652.3
(22)申请日 2021.03.30
(71)申请人 电子科技大学
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