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本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括：一衬底，具有一沟槽；一氧化层，共形地位于所述沟槽中；一保护层，位于所述沟槽中且共形地位于所述氧化层上；以及一绝缘材料层，填充于所述沟槽中且位于所述保护层的上方，其中，所述绝缘材料层的顶面高于所述保护层的顶面。根据本发明的实施例所提出的半导体结构及其制造方法，可以解决传统制造工艺中因沟槽隔离件有所损耗而造成高度难以控制的问题，提高制得基板结构的成品率，进而提升后续在基板结构上所形成的元件的电性表现。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097123 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110007704.1
(22)申请日 2021.01.05
(30)优先权数据
109100545
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