- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种大可逆磁致应变NiCoMnSn合金的制备方法,属于变磁性形状记忆合金技术领域。本发明对NiCoMnSn合金进行电子辐照改性,得到所述大可逆磁致应变NiCoMnSn合金。本发明提供的制备方法对NiCoMnSn合金采用电子辐射改性,对NiCoMnSn合金的表面进行辐照,引起空位的产生;由于磁交换相互作用对Mn‑Mn距离的强烈依赖性,这种晶格收缩将导致Mn‑Mn距离的减少,使得相变前后两相(母相奥氏体和马氏体相)间的磁化强度差(△M)增加,同时3d轨道杂化的增强,导致磁场对母相和马氏体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113088850 B
(45)授权公告日 2022.02.08
(21)申请号 202110393878.6 C21D 1/26 (2006.01)
文档评论(0)