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本申请公开了一种制备单晶硅的坩埚组件以及制备炉，所述坩埚组件，包括：内锅，所述内锅限定出盛放制备原材料的容纳空间，所述内锅的底壁与所述内锅的侧壁之间限定出R部；导热层，所述导热层设置在所述R部处，以提高所述R部的导热效率；其中所述内锅与所述导热层的材料不同，且所述导热层的导热性能高于所述内锅的导热性能。由此，通过设置导热层，使坩埚组件的高温区域下移，可以增加高浓度区域与长晶界面之间的距离，可以减缓氧向长晶界面扩散；可以降低坩埚组件底部与长晶界面之间的温差，减缓氧通过硅液对流进入长晶界面，从而减少
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113106538 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202110322095.9 C30B 29/06 (2006.01)
(22)申请日 2021.03
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