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- 2023-06-13 发布于四川
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本发明公开了一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，该方法选用陶瓷样品及聚合物样品作为研究对象，利用γ射线对样品进行辐照处理。经实验证实，随着辐照剂量的增大，介质材料的电阻率降低，二次电子发射系数的最大值也随之降低，从一定程度上抑制介质材料的二次电子发射系数。相比于表面腐蚀、光刻以及化学方法等工艺来降低二次电子发射系数，通过辐照来抑制介质材料二次电子发射系数的方法更具有普适性，工艺简单，成本小，操作简便等优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113072393 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202110350644.3 G01N 23/2202 (2018.01)
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