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碳化硅基体的制造方法、半导体装置的制造方法、碳化硅基体和半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-13 发布于四川
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碳化硅基体的制造方法、半导体装置的制造方法、碳化硅基体和半导体装置.pdf

    本发明提供高品位的碳化硅基体的制造方法、半导体装置的制造方法、碳化硅基体和半导体装置。根据实施方式，在碳化硅基体的制造方法中，包括准备第1基体。第1基体包括第1基体面且包含碳化硅。第1基体面相对于第1基体的(0001)面倾斜。第1基体的(0001)面与第1基体面交叉的第1线段沿着第1基体的[11‑20]方向。制造方法包括在第1基体面形成包含碳化硅的第1层。制造方法包括将第1层的一部分除去。通过一部分的除去而露出的第1层的第1层面相对于第1层的(0001)面倾斜。第1层的(0001)面与第1层面交

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113293 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202010905516.6 H01L 29/06 (2006.01)

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