半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种形成半导体结构的方法包括提供一种结构，具有衬底、鳍部、源极/漏极(S/D)部件、与鳍部的侧壁相邻的隔离结构、在第一介电层上并且连接S/D部件的一个或多个沟道层以及接合一个或多个沟道层的栅极结构。方法还包括从结构的背面减薄结构直到鳍部被暴露以及选择性地蚀刻鳍部以形成沟槽，沟槽暴露S/D部件的表面、第一介电层和隔离结构。方法还包括在S/D部件上形成硅化物部件以及在硅化物部件上但不在第一介电层和隔离结构的表面上沉积抑制剂，在隔离结构和第一介电层的表面上但不在抑制剂上沉积介电衬垫层，以及选择性地去除

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113490 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202011635419.6 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日