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本发明涉及一种结型场效应晶体管及半导体器件，包括一衬底、一漂移区、一源接触区、一栅接触区、一沟道区及一漏接触区。所述衬底具有一第一导电类型。所述漂移区形成于所述衬底。所述漂移区具有一第二导电类型。所述源接触区形成于所述漂移区。所述源接触区具有所述第二导电类型。所述栅接触区形成于所述漂移区。所述栅接触区具有所述第一导电类型。所述栅接触区下方形成一沟道区。所述栅接触区相隔于所述源接触区。所述栅接触区包括一栅电极。所述栅电极包括2个次栅电极。所述2个次栅电极彼此相隔。所述沟道区形成于所述衬底之上且相邻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097309 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110354801.8
(22)申请日 2021.03.31
(71)申请人 上海晶丰明源半导体股份有限公司
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