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一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器.pdfVIP

一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器.pdf

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    本发明公开一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器，由补偿型场效应晶体管M2组成的放大级；电感L1、电感L2以及电感L3通过电磁耦合形成的无源器件变压器P1组成的匹配级；电流源Ibias和晶体管M0组成的给共源晶体管M1提供栅极电压的电流偏置级以及由二极管D0、二极管D1与二极管D2组成静电保护级构成；静电保护级用于提供正向和负向的电荷泄放通路。本发明在实现射频信号放大的同时，通过内嵌静电防护电路，避免大的寄生电容对射频性能的影响，易于降低成本，实现大规模量产。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113067554 B (45)授权公告日 2022.06.21 (21)申请号 202110350194.8 (56)对比文件

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