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本发明公开了一种早播马铃薯种植方法,由以下步骤组成:1)选地与整地:2)冬灌、建棚;3)施基肥;4)种子处理;5)播种:旋耕土地后,用划行器划出起垄基准线,然后起行距90cm、高25cm的垄,并在垄之间每隔5~6m起略低垄高的分水畦;垄上开沟及播种;覆草;覆膜;搭建小拱棚并覆膜;6)田间管理;7)病虫害防治;8)收获。本发明采用温室种植技术,在垄上开挖种植沟槽,种薯下播后,在种植沟槽内铺设秸秆,并覆盖黑膜,搭建小拱棚,形成三膜保温结构,确保马铃薯出苗及正常生长所需温度,同时又通过秸秆抵挡直射阳光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113099994 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110235938.1 A01G 13/00 (2006.01)
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