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本发明公开了一种早播马铃薯种植方法，由以下步骤组成：1)选地与整地：2)冬灌、建棚；3)施基肥；4)种子处理；5)播种：旋耕土地后，用划行器划出起垄基准线，然后起行距90cm、高25cm的垄，并在垄之间每隔5～6m起略低垄高的分水畦；垄上开沟及播种；覆草；覆膜；搭建小拱棚并覆膜；6)田间管理；7)病虫害防治；8)收获。本发明采用温室种植技术，在垄上开挖种植沟槽，种薯下播后，在种植沟槽内铺设秸秆，并覆盖黑膜，搭建小拱棚，形成三膜保温结构，确保马铃薯出苗及正常生长所需温度，同时又通过秸秆抵挡直射阳光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113099994 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110235938.1 A01G 13/00 (2006.01)
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