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本发明公开了一种基于连续介质束缚态的二维材料电光调制器,由下而上依次包括衬底层、硅光波导、电介质填充层、第一二维材料层、第二二维材料层、高分子聚合物限制层,还包括第一金属层、第二金属层。其中,高分子聚合物限制层位于硅光波导中央位置上方,用来限制硅光波导层中的光波传输。第一金属层与第二金属层分别沉积在第一二维材料层上方靠右侧和第二二维材料层上方靠左侧,第一二维材料层与第二二维材料层仅在高分子聚合物限制层下方重叠,以增强二维材料与光的相互作用,用来提高调制效率和速率。该器件极大简化调制器制作流程,并
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113093409 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110383230.0
(22)申请日 2021.04.09
(71)申请人 东南大学
地址 21
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