半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成图形材料层；对图形材料层进行多次凹槽形成步骤，依次在图形材料层的多个位置形成凹槽，剩余的图形材料层作为图形层，凹槽形成步骤包括：在图形材料层上形成掩膜层，掩膜层包括第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层，第二掩膜层具有开口；以第二掩膜层为掩膜，刻蚀图形材料层，在图形材料层中形成凹槽；位于图形材料层顶面的第一掩膜层作为保护层；去除第二掩膜层；形成图形层后，去除保护层。本发明实施例，形成图形层后，去除保护层，从而图形层顶面与所有的凹槽侧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113349 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 20201