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本文叙述半导体装置及其形成方法。前述方法包括：沉积虚设栅极材料层在蚀刻至基板上的鳍片之上。然后形成栅极遮罩于在鳍片的通道区域中的虚设栅极材料层之上。使用栅极遮罩，蚀刻虚设栅极电极至虚设栅极材料。然后沉积顶部间隔物于栅极遮罩之上且沿着虚设栅极电极的顶部的侧壁。然后蚀刻穿过虚设栅极材料的剩余部分且穿过鳍片的开口。然后沿着开口的侧壁形成底部间隙物，且底部间隔物使开口与虚设栅极电极的底部分离。然后形成源极/漏极区域在开口中，且以金属栅极堆叠物取代虚设栅极电极。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113297 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110203028.5 H01L 29/423 (2006.01)
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