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本发明公开了一种多晶金刚石衬底上的AlN/GaN异质结及其制备方法，主要解决现有GaN基微波功率器件工艺复杂、散热能力差和成本高的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN外延层(4)和AlN外延层(5)。其中，衬底采用多晶金刚石材料，用以增强异质结的散热能力，改善器件在大功率下的工作性能；衬底(1)与GaN外延层(4)之间增设有h‑BN层(2)和磁控溅射AlN层(3)，用以为GaN的外延生长提供成核位点，提高外延层的晶体质量。本发明改善了AlN/GaN异质结的散热能力，降低了生产成本，提高了器件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078207 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202110325174.5
(22)申请日 2021.03.26
(71)申请人 西安
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