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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区内具有第一金属结构，所述第二区内具有第二金属结构；在所述第一金属结构表面和所述第二金属结构表面形成器件层；在所述第一区的器件层内形成第一通孔，在所述第二区的器件层内形成第二通孔；采用选择性金属生长工艺，在所述第一通孔内形成第一插塞，并在所述第二通孔内形成第二插塞。所述半导体结构及其形成方法能够改善半导体结构的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097166 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 20201

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