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本发明提供了一种低损耗肖特基整流管及其成型工艺,包括肖特基整流管,所述肖特基整流管包括塑封外壳、肖特基芯片、阴极引脚、阳极引脚、金线,所述肖特基芯片包括N+硅衬底、覆盖在所述N+硅衬底上端的N‑硅外延层、覆盖在所述N+硅衬底下端的阴极金属、覆盖在所述N‑硅外延层上端的阳极金属、第一SiO2层、覆盖在所述N+硅衬底、N‑硅外延层、第一SiO2层外侧的第二SiO2层、覆盖在所述第二SiO2层上端的第三SiO2层,所述阴极金属下端与所述阴极引脚焊接,所述阳极金属与所述阳极引脚之间通过所述金线连接,所述
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130624 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110325227.3
(22)申请日 2021.03.26
(71)申请人 先之科半导体
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