半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：基底、第一侧墙和第二侧墙。其中，在形成第二侧墙之前，所述基底、所述栅极和所述第一侧墙表面覆盖有具有设定厚度的牺牲氧化层。所述牺牲氧化层用于保护所述基底、所述栅极和所述第一侧墙，避免其在去胶清洗过程中因被侵蚀而出现形貌凹陷、沟道变短和漏电流等问题，提高器件性能和可靠性。此外，牺牲氧化层的设定厚度较薄，故在执行离子注入过程中，配合离子注入自动控制系统能够实现精准注入，对注入效果没有影响。且在离子注入过程中，牺牲氧化层会自然氧化逐渐变薄，加之在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140464 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110688897.1 (22)申请日 2021.06.22 (71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司