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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底的表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层中形成第一开口；在所述第一开口内形成第一电极层；在所述第一电极层的表面依次形成可变电阻介电层、第二电极层以及掩膜层，所述可变电阻介电层延伸至所述第一阻挡层的表面；以及在所述第一阻挡层的表面、所述可变电阻介电层的侧壁、所述第二电极层的侧壁、所述掩模层的侧壁以及所述掩模层的表面形成第二阻挡层。本申请所公开的半导体结构及其形成方法能够在不引入新材料和新工艺的情况下形成RRAM单元的侧墙，并且

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130738 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20191

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