具有稀释氮化物层的光电子装置.pdfVIP

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公开了一种具有GaInNAsSb、GaInNAsBi或GaInNAsSbBi有源层的光电子装置。该光电子装置具有有源层或吸收层，带隙在0.7eV至1.2eV的范围内。有源层耦接至倍增层。该倍增层被设计成在波长高达1.8μm的低光水平下提供具有高信噪比的大光学增益。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169244 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980047357.6 (74)专利代理机构北京市铸成律师事务所

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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