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一种横向III‑N器件具有垂直栅极模块,该垂直栅极模块含取向为N极型或III族极型取向的III‑N材料。III‑N材料结构具有III‑N缓冲层、III‑N势垒层和III‑N沟道层。III‑N势垒层与III‑N沟道层之间的组分差异造成在III‑N沟道层中诱发2DEG沟道。p型III‑N本体层设置在源极侧接入区中的III‑N沟道层上方,而不在漏极侧接入区上方。n型III‑N覆盖层在p型III‑N本体层上方。接触n型III‑N覆盖层的源电极电连接到p型III‑N本体层,并且当栅电极以比阈值电压低的电压
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113169228 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980066795.7 布赖恩 ·L ·斯文森
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