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半导体结构的形成方法.pdfVIP

半导体结构的形成方法.pdf

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    一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上依次形成第一介质层和覆盖层；在所述第一介质层和所述覆盖层内形成若干分立的第一金属层，所述第一金属层顶部与所述覆盖层顶部表面齐平；在所述覆盖层和所述第一金属层表面形成第一材料层；在所述第一材料层表面形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层直至暴露出所述第一材料层表面，形成通孔；对暴露出的所述第一材料层进行化学处理，形成第二材料层。本发明提供的形成方法可以提高形成的通孔的质量，从而提高半导体结构的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130384 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20201

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