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一种新型半导体单晶片位错密度检测腐蚀工装及方法.pdfVIP

一种新型半导体单晶片位错密度检测腐蚀工装及方法.pdf

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    本申请公开了一种碳化硅晶片腐蚀方法和装置。所述方法包括如下步骤：S1、腐蚀液制备；S2、将所述晶片夹具挂至升降挂钩上；S3、预热；S4、腐蚀；S5、冷却及处理晶片。在所述腐蚀方法中可根据晶片尺寸及预估晶片质量及缺陷密度进行不同时长的预热、腐蚀和冷却。不限于以提拉杆、步进电机配合三轴移动等，实现上下、左右方向的夹具移动。本发明同时公布了一种包含晶片夹具、篮组合的腐蚀工装，可用于手持及提拉腐蚀，使获取腐蚀片的过程更加安全，降低操作难度。本发明装置结构简单，操作稳定，腐蚀方法同时具备可调整的灵活性、易

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113122929 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010502354.1 (22)申请日 2020.06.05 (71)申请人 北京世纪金光半导体有限公司

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