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一种大尺寸碳化硅晶体生长用籽晶.pdf

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本发明提供一种低缺陷位错密度的大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶。其特征为：1、大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶在生长面（C面）上被一层同质外延层覆盖；2、该籽晶在C面过渡外延层前需要双面抛光、C面CMP。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113122922 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010517681.4 (22)申请日 2020.06.09 (71)申请人北京世纪金光半导体有限公司

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