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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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    一种半导体器件包括：衬底，包括有源区和器件隔离区；在衬底上形成的平板结构；氧化物半导体层，在有源区和器件隔离区中覆盖所述平板结构的顶表面并且连续地设置在衬底的顶表面上；栅极结构，设置在氧化物半导体层上并且包括栅极介电层和栅电极；以及源/漏区，设置在栅极结构的两侧并形成在氧化物半导体层中，其中当从侧横截面观察时，平板结构的延伸方向和栅极结构的延伸方向彼此交叉。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130379 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202011264983.1 H01L 27/092 (2006.01) (22)申请日

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