用于互补金属氧化物半导体（CMOS）隔离的结构和方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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用于互补金属氧化物半导体（CMOS）隔离的结构和方法.pdf

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本公开的各方面涉及集成电路中的隔离。根据一个方面，在集成电路(IC)中实现互补金属氧化物半导体(CMOS)隔离包括蚀刻集成电路(IC)的第一部分(1401)中的多个栅极中的两个栅极之间的层间电介质(ILD,1425)；蚀刻半导体衬底以在第一部分中的有源区域内形成沟槽；以及在第一部分中用绝缘体(1419)填充沟槽并且平坦化集成电路(IC)。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169122 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980077495.9 (74)专利代理机构北京市金杜律师事务所