氧化物半导体膜的蚀刻方法.pdfVIP

氧化物半导体膜的蚀刻方法.pdf

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在根据本发明的实施方案的氧化物半导体膜的蚀刻方法中，通过使用第一稀有气体在所述氧化物半导体膜中形成改性层，并且通过使用与所述第一稀有气体不同的第二稀有气体对所述改性层进行溅射。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169067 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980076777.7 (74)专利代理机构北京信慧永光知识产权代理

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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