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2023-06-14 发布于四川
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包括工艺步骤的代表性技术和设备可以被采用，以减轻导电互连结构中的不期望的凹陷和电介质键合表面的腐蚀。例如，嵌入层可以被添加到凹陷或腐蚀的表面上，以消除不需要的凹陷或空隙并且形成平坦的键合表面。包括工艺步骤的附加技术和设备可以被采用，以在导电互连结构中形成期望的开口，其中开口相对于互连结构的导电材料的体积可以具有预先确定的或期望的体积。这些技术、设备和工艺中的每个可以在经键合的裸片和晶片的键合表面处提供对更大直径、更大体积或混合尺寸的导电互连结构的使用。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113169151 B (45)授权公告日 2022.05.03 (21)申请号 201980077502.5 (73)专利权人伊文萨思粘合技术公司