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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：对所述第二介质层进行图形化之后，在所述第二导电层表面形成遮蔽层；形成所述遮蔽层之后，对所述第二接触孔底部的第一介质层进行刻蚀至暴露出所述第一导电层，在所述第二介质层中形成第三接触孔；以所述遮蔽层为掩膜，在所述第三接触孔中形成第一插塞；形成所述第一插塞之后，去除所述遮蔽层；去除所述遮蔽层之后，在所述第二接触孔中形成第二插塞，并在所述第一接触孔中形成第三插塞。所述方法能够形成高质量的第二插塞和第三插塞，改善第二插塞和第三插塞的导电性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130380 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20191

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