热辅助垂直自旋转移矩MRAM存储器单元.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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热辅助垂直自旋转移矩MRAM存储器单元.pdf

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本发明提供一种磁阻随机存取存储器(MRAM)存储器单元，该MRAM存储器单元包括：钉扎层，该钉扎层具有垂直于该钉扎层的平面的固定磁化方向；第一自由层，该第一自由层具有可以切换并且垂直于该第一自由层的平面的磁化方向；隧道势垒，该隧道势垒定位在该钉扎层和该第一自由层之间；第二自由层，该第二自由层具有可以切换的磁化方向；和间隔层，该间隔层定位在该第一自由层和该第二自由层之间。该第二自由层的矫顽磁力的温度依赖性大于该第一自由层的矫顽磁力的温度依赖性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113168858 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980078585.X (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理