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本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种监测量子点壳层生长厚度的方法，包括以下步骤：根据与待测量子点的晶核成分相同的量子点晶核标准品，测定所述量子点晶核标准品的紫外可见吸收光谱，确定第一激子吸收峰的吸收值为OD1和x波长处的吸收值为ODx1；根据核壳结构量子点标准品的紫外可见吸收光谱，确定第一激子吸收峰的吸收值为ODn和标记x波长处的吸收值为ODXn；确定所述核壳结构量子点标准品的壳层厚度与OD1、ODx1、ODn、ODXn，的对应关系；测定所述待测量子点的OD’和ODx’，根据所述核壳结构量子点
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113125391 A
(43)申请公布日
2021.07.16
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